Молибденового сплава монокристалла электронно-лучевая зонная плавка эксперименты следующим образом:
Электронно-лучевым методом зонной плавки металлов высокой чистоты, очистки, влияющие факторы: сырье, уделяя особое внимание параметры системы, вакуумной плавки, очистки раза, степень очистки, плавление энергетических и технологических систем. В котором степень вакуума, чтобы очистить, частота и скорость основных параметров.
(1) Система фокусировки параметры
Выбор может вызвать сужение расплавленной зоны фокусировки пучка электронов параметры системы выращивания кристаллов зонной плавки предпосылкой для плавления прекрасные образцы чрезвычайно чувствительны к власти вариации задуматься. Зона плавления, использование узкой зоне расплавленного чистота продукта, полученного на системы с использованием шире, чем зона высокого плавления. Тем не менее, за счет концентрации расплавленного запретной зоны разные быстро возрастает и делает расплавленной зоны труднее исключают примеси, что требует соответствующего увеличения скорости, чтобы компенсировать определенный недостаток очистки. Как правило, один раз расплавленных с использованием большого зоны расплава, неоднократно плавления узкой зоны расплава.
(2) плавление и таяния энергосистемы
По данным литературы, использование электронного пучка очистки зоны плавления, образец до первого проникновения, часто необходимо пройти через несколько очистки, электронно-лучевой увеличение мощности постепенно, каждый последующий расплава тонким слоем образца, цель не уничтожить вакуума, после бомбардировки ток в зону плавления более стабильна.
(3) Очистка число
По имеющимся данным, зона плавления электронным пучком очистки продукта с количеством конкретных сопротивление возрастает с увеличением, в результате твердость значительно уменьшились, но затем стабилизировалось до определенного значения, это происходит потому, что распределение примесей в продукте, как правило, предельных значений, а затем продолжать увеличивать количество очистки не будет иметь большого эффекта. Результаты эксперимента показали, что: в выборе подходящей скорости очистки в соответствии с предпосылкой монокристалла и поверхностью кристалла во многом зависит от успеха первого расплава. Изобразительное тепла образца плавится легко гнуться, смягчают, таким образом смещение центров, ни на секунду не расплава.
(4) Очистка вакуумного
Очистка электронный степень вакуума луч чистоты продукта расплава является весьма значительным. В настоящее время более современное оборудование оснащены ультра-высоких вакуумных систем для чистоты продукта на более высокое значение. Tedmon, роза и Iawley есть, что: для подготовки азота, кислорода содержание 0,001% или менее, которые должны вакуум до 1,33 × 10-4Pa, в противном случае трудно достичь желаемого эффекта.
(5) Очистка скорость
Степень очистки является одним из ключевых факторов, влияющих на качество очистки, которые непосредственно влияют на чистоту продукта и распределения остаточных примесей. Calverley, Tedmon Роза и остаточные примеси были протестированы на распределение, они обнаружили, что: когда очищенный быстрее всего образца является более равномерное распределение примесей; медленнее, когда очищенный, остаточная концентрация примеси в тесте распределения образца меньше, чем в конце головной станции.
Если у вас есть интерес к нашей молибденового сплава монокристалла или другие продукты сплава молибдена, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте: sales@chinatungsten.com,sales@xiamentungsten.com или по телефону: +86 592 512 9696.