镧对TZC合金晶界处化学成份有什么影响呢？
扫描俄歇电子显微探针的分析结果表明，在未加镧（La）的PM-TZC合金中，有大量的合金元素碳和杂质元素氧在晶界处偏聚，这种偏聚经分析认为是原子态偏聚，不是以化合物状态聚集在晶界。
图1是无镧（La）的PM-TZC合金晶界处的俄歇电子能量一与俄歇电子强度关系图，图中上边的谱线是原始晶界处的元素分布，从中可看出，在晶界处有大量的碳和氧偏聚，而基体Mo的俄歇峰很低，说明了晶界处复盖了许多杂质元素。
图1 无镧（La）TZC合金典型的断口表面俄歇电子能谱图
图1中下边的谱线是经两分钟氛离子旅射后的元素分布，氢离子的溅射剥离速度约为400人/min，因此可看为远离晶界处的成份，此时，碳和氧的俄歇峰几乎不存在，而基体Mo的俄歇峰非常显著，说明晶界复盖的杂质元素已经戮射掉了。
在加镧（La）的合金中，碳和氧的晶界偏聚大为降低，图2为含镧（La）量为0.68%合金断口表面的俄歇电子能谱图，图中上边的谱线是晶界处的元素分布，从中可以看出，与图1中上方的谱线相比较，在此合金的晶界处，碳和氧的俄歇峰明显降低，基体钼的俄歇峰明显提高，说明镧（La）的加入降低了晶界处碳和氧的偏聚，图2中下边的谱线是电子束打在晶界析出物上得到的俄歇电子谱，这个析出物就是前边提到的那种以La2Zr2O7为核心，碳化物附在上面析出的共生相。
图2 加镧（La）TZC合金典型的断口表面俄歇电子能谱图
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