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二珪化モリブデンコーティングパウダー - ディップ焼

二硅化钼二珪化モリブデンコーティングの調製方法 - ディップ焼

図1グラファイトは15ミリメートルに研削*15ミリメートル*15ミリメートル*テストブロック、金を洗浄·乾燥表面にCSF-1A超音波クリーナーの使用;

(2)Si粉末、水、ポリビニルアルコールスラリー調製の一定の割合によって、ボールミルで1時間粉砕する;

図3は、グラファイトブロック約500μmの厚さのスラリー中に浸漬コーティングを使用。 12時間110℃で乾燥後、1450℃で2時間処理、真空オーブン中で、グラファイト基板は、SiC被覆勾配に調製することができる。

上記のSi-Moのスラリーを調製したのと同じプロセスを用いてMoとSi粉末を秤量一定の割合で4;

SiCのスラリーは、Si-Mo系異厚プレコートスラリーの内側層上に浸漬コーティングした数を制御することにより、スラリーのSi-SiCのモーメントの内側層上にコーティングされ、結晶Si-Moをディップコーティング法を用いて5;

図6は、110℃で12時間乾燥した後、1420℃の真空オーブン中℃抵抗が2時間か焼。

コーティング特性により調製し二珪化モリブデン:

コーティングの1)のSi-MoSi2の外層はSiC/Si-MoSi2酸化性能が大きく影響される準備。 80μmの程度のSi-MoSi2の外側層の厚さ、1400℃におけるコーティングは、良好な高温耐酸化性を示した。薄すぎたり厚すぎ有害な耐酸化性。

2)コーティングは、根の材料の耐酸化性を向上させるためにSiO2のガラスが完全に緻密な層を形成した後の酸化皮膜の表面の原因は、

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