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몰리브덴 disilicide

몰리브덴 disilicide은 무엇입니까?

몰리브덴 disilicide (MoSi2)의 매력 높은 용융 금속 간 화합물이다. 그것은 몇 가지 매우 바람직 같은 중간 密度 특성 (6.24g · cm-3), 녹는 점 (2030 ℃), 낮은 열팽창 계수 (8.1 × 10-6), 산화 저항 및 화학적 불활성을 가지고 있기 때문에 이것은이다 특히, 크라운의 고온 산화 저항 실리사이드를 기록하고, 탄화 규소 및 Si3N4를이 비교할 수 있습니다. 자동시 인식 된 보호 필름에서 생성이 뛰어난 성능 시스템, 온도가 9000C 이상 동안 때 고온 형성하는 산화 분위기에서 후자는 그것이 아닌 폴링 산화물,의 SiO2 박막의 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 표면이 형성된다 , 자기 치유와 협력을 얻기 위해,의 SiO2의 보호 및 균열의 자동 생성을 얻기 위해 고온 열 순환에 빌려 준다.

몰리브덴 disilicide (MoSi2) 매우 다재 다능 한.钼合金

첫 번째는 1800까지 ℃가 여전히 금속 도체로 사용되는 발열체 저항 용광로로 사용됩니다;

게이트 실리콘 IC의 연락처로 사용되는 두 번째 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 필름, 두꺼운 필름 코팅은 고온 (1500 ℃) 산화를 억제하는 보호 물질을 위해 사용되었다.

미래의 몰리브덴 disilicide (MoSi2)는 같은 터빈 블레이드 재료, 큰 발전 잠재력 등 고온 구조로 될 것입니다. 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 구조 및 특성은 화학 성분, 密度, 등 (그들은 온도, 압력 및 기타 컨트롤과 같은 반응 조건이 적용됩니다)에 따라 다릅니다.

일반적으로 준비 용융 키를 접촉 고순도 실리콘 금속 고순도 몰리브덴 disilicide (MoSi2). 연구는 고순도 산소 가스 보호 등의 원료 및 몰리브덴 disilicide (MoSi2)의 생산으로 측정하는 것으로 나타났습니다은 연성 - 취성 전이 온도가 1300 증가 될 수있다 ~ 1,400 ℃, 실내 온도 인성은 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 포함을 보여주는 향상 510이었다. 고성능 몰리브덴 disilicide의 제거 (MoSi2) 개발이 필수적이다.

금속 몰리브덴 disilicide (MoSi2)을 생산하는 일반적인 방법을 사용하여 단점은 거친 곡물 성분의 분리이며, 몰리브덴 disilicide의 생산 (MoSi2)는 분말 야금의 기본 수단입니다 그래서. 이 프로세스는 훨씬 더 성숙하지만, 많은 링크 오랜 시간 동안 높은 온도, 산소 오염. 이 작업을 수행하려면 토너 물질의 작은 금액을 추가 개선 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 파괴 인성 및 경도 될 수 있습니다. 의 탈산 소화는 다음과 같습니다

의 SiO2 +3 C -> 탄화 규소 +2 CO

또한 연소 합성으로 알려진 SHS는 거의 20 년이 새로운 공정 물질의 합성을 개발하는 것입니다. 그 자체를 유지하기 위해 반응의 발열의 사용이다. 이 과정은 단순한 기술, 높은 순수성, 에너지 절약 및 효율성의 이점을 가지고, 옛 소련의 산업 응용의 단계를 입력했습니다.

몰리브덴 disilicide (MoSi2)의 준비를 위해, 제 1 금속 분말과 실리카 화합물 키가 충분히 혼합에서 측정 한 다음 로컬 점화 SHS 반응 개시제, 반응 열 합성 반응의 나머지 부분을 유지하기 위해 생성됩니다. 그것은 누르면 주조 및 기타 기술하는 경우에, 직접 만든 잠재력 장점을 가지고 密度 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 재료, 금속 간 화합물의 합성을 생성 할 수 있습니다. 최근 몇 년 동안 미국은 기술의 사용뿐만 아니라 고성능 구조 재료, 몰리브덴 disilicide (MoSi2) 복합 재료 개발 된 열 확산 기술하고있다.

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