二硫化钼的制备方法-前躯体分解法（剥离法）

前躯体分解法制备的纳米MoS2结晶度好，质量高，无杂质，且操作简单，适用于制备单个器件，但也存在一些不足，如难以重复、不能批量生产等。将反应物置于惰性气体(Ar气)环境下反应2 d，得到剥离插层物LixMoS2，然后将样品清洗至中性成功制得了层状MoS2(a) ，300℃退火后剥离材料由亚金属相转变为半导体的相。

通过电化学剥离法成功制备了大面积的MoS2纳米片，MoS2与Pt线间为直流偏压(b)。采用机械剥离法成功制备了单层MoS2，厚度约为0.8 nm (c)。通过液相剥离法成功制备了MoS2量子点点缀的层状纳米结构MoS2，MoS2量子点尺寸约为2 nm，MoS2片横向尺寸约为1 μ m (d)。

此种生产方法虽然简单，但是对分解出的二硫化钼的影响过于敏感，只要反应参数（加热速率，最终温度，气体种类，起亚和气流速度）稍微有所变化，二硫化钼的形貌就会有很大的变化。且此方法还需先制备前驱体，这对MoS2的生产起了关键作用。

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