钼合金单晶的生产
在表1中给出了原料的名义成分,这些实心棒料都是利用粉末冶金方法制备的。在振动研磨机内将粉末混合均匀,再在不锈钢模具内冷压成形,然后在真空炉内烧结压制出来的生坯,其工艺条件是:真空度为10-8乇,温度为1 873 K,时间为16 h。
据测定,退火坯料的相对密度为95%。将坯料镦锻成为具有所需长度、控制单晶用的材料,放入炉内生长出单晶。把钼合金单晶生长设备的炉窑用大容量低温泵抽成真空,使加热前的真空度保持在10-8乇的水平上。在单晶生长过程中,排气造成的室内最大压力是10-6乇。
区域熔炼的热源是电子束轰击。因为原料具有大约5%的孔隙度,所以其排放的气体带来了许多问题。为了使设备在熔炼过程中能够充分地排除原料带入的气体和降低沿着扫描方向的溶质偏析程度区域扫描的速度必须足够的低。
另外,为了进一步把排放的气体减少到最小,需要进行多次区域熔炼,这样才能够取得优质的单晶钼合金。与此相反,为了使液相挥发造成的材料损失最小,电子束扫描速度不能太低,扫描数量不能太高。所以,必须试验确定制取钼基合金单晶的最佳工艺过程和条件,而这些条件又取决于合金成分,每一种钼合单晶的试验过程细节见表1。
表1 钼基合金单晶生产工艺
名义成分 |
烧结温度 /K |
烧结时间/
h
|
扫描速度
/mm·h-1 |
熔炼次数/次
|
合金尺寸/mm |
||
烧结前 |
烧结后 |
熔结后 |
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