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二硫化钼纳米片制备方法 - 锂离子插层法

锂离子插层法是采用插层剂,比如丁基锂插入到二维的层状纳米材料中,增大材料的层间间距来减弱层间范德华力,然后超声,最终得到少层甚至是单层的纳米片。目前插层法主要有溶剂Li插层法,无溶剂Li插层法,电化学Li插入法和水热辅助Li插层法。

锂离子插层和MoS2

Bang等人采用N-甲基-2-吡咯烷酮为溶剂,碱土金属氢氧化物为插层剂,通过插层助剥离得到了高浓度的二维MoS2纳米片。这种方法在剥离的过程中,碱土金属阳离子插入MoS2层间可以减弱层间的范德华力,再通过超声,进一步提高了剥离的效率。实验证明,阳离子半径越小,剥离的效率就越高。

Zeng等利用电化学Li插入辅助剥离法,以Li箔作为阳极,MoS2粉末涂在铜箔真空中干燥后作为阴极,乙基碳酸酯和碳酸二甲酯按质量1:1的比例溶于LiPF6作为电解液,在氩气的氛围下通入一定电流完成嵌入过程,通电插层过程完成后,清洗并超声剥离,从而获得厚度违约1.0nm,单层MoS2占92%以上的MoS2纳米片。

锂离子插层法具有很高的剥离效率,适用范围广,但是过程需要很久,锂离子去除时容易引发MoS2聚集。其中,电化学Li插入辅助剥离法新颖,快捷,产量高而且产物的层数能较好的得到控制,但是电路装置比较复杂,Li插入过程的电流和时间不容易控制。

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