图1为不同温度下制备的二硫化钼纳米片的XRD图谱。在400℃~700℃温度下硫化可以得到纯的产物，而当硫化温度达到800℃的时候，因为硫磺挥发太快，会导致产物的硫化程度不完全，留下部分中间产物二氧化钼［图1(e)］。当硫化温度为300℃的时候，三氧化钼和硫化并没有发生反应，在氩气保护下煅烧2小时后，仅检测到三氧化钼，混合物中的硫磺已经随着气流挥发掉了［图1(f)］。同时，随着硫化温度的升高，产物开始出现更多的衍射峰，且衍射峰越来越尖锐，说明产物的结晶程度越来越高。

硫化时间

图2为600℃下不同硫化时间所得产物的XRD图谱。即使是在该温度下仅保持10min，仍然可以生成纯的二硫化钼［图2(a)］，所有的衍射峰都与标准的六方二硫化钼相匹配。强的衍射峰说明产物的结晶程度很好。在延长煅烧时间的情况下，所有衍射峰的强度都有稍微的提高，这表明产物的结晶程度又进一步提高。当硫化时间延至120min的时候，(105)，(008)和(201)峰变得更加明显且尖锐。

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